1、IRF3205是就是mos管，耐压50v，过电流90A,直接去电子市场买3205的就行。

(资料图)

2、mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。

3、MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

4、在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。

5、这样的器件被认为是对称的。

6、双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输N沟道mos管符号一个大的电流变化。

7、双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。

8、另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。

9、FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

10、市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。

11、而P沟道常见的为低压mos管。

12、场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

13、事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

14、最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。

15、这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

16、因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

17、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。

18、MOS管有很多种类，也有很多作用。

19、做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

20、无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

21、MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

22、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

本文分享完毕，希望对大家有所帮助。